意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。

　　此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。

　　ST公司通過(guò)改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了耐壓650V的低導(dǎo)通電阻。具體而言，將在n型底板垂直方向上伸長(zhǎng)的p型區(qū)域的寬度和間隔減少一半，使單位面積的導(dǎo)通電阻由原來(lái)的約30mΩcm2降至約20mΩcm2。

　　為涉足太陽(yáng)能電池市場(chǎng)，ST公司此次將主要面向筆記本電腦AC適配器和平板電視的該公司原產(chǎn)品的600V耐壓設(shè)定為650V。耐壓值是25℃下的測(cè)量結(jié)果。由于隨著溫度降低，耐壓也降低，因此針對(duì)有時(shí)設(shè)置在室外的太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，提高了耐壓。

　　STY112N65M5和STW77N65M5均將于2009年4月開始供應(yīng)樣品。